Firma Toshiba rozpoczęła masową produkcję pamięci NAND Flash w 15 nm procesie technologicznym. Ma on zastąpić, obecny, 19 nm. Pierwszym miejscem, gdzie zostanie on wdrożony jest Fab 5 (Yokkaichi Operations).

Technologia ta pozwoli wytwarzać 128 gigabitowe kości pamięci o pojemności 16 GB (2-bity na komórkę), które mają zapewnić transfery na poziomie 533 MB/s. Poza tym już w czerwcu producent ten chce rozpocząć produkcję kolejnych kości z 3-bitami na komórkę pamięci. Będą one wykorzystywane w smartfonach i tabletach, które pojawią się w sklepach pod koniec roku. Także SanDisk chce wprowadzić na rynek pamięci NAND Flash wykonane w 15 nm procesie litograficznym. Będą one dostępne w wersji 2- i 3-bity na komórkę.