Firma Intel i Micron osiągnęły porozumienie, które ma doprowadzić do dużego wzrostu dysków SSD w niedalekiej przyszłości. Producenci ci pracowali już wspólnie nad pamięcią flash, a teraz stworzyły nowe pamięci 3D NAND flash.
Intel i Micron stworzyły właśnie nowy typ pamięci 3D NAND flash czerpiący korzyści nie ze zwiększenia samych komórek, ale ułożenia ich warstwowo jednej na drugiej. Pozwolić ma to nie tylko na wyraźne zwiększenie gęstości chipów (nawet trzykrotnie), ale również zwiększenie ich wydajności i żywotności przy jednoczesnym zmniejszeniu rozmiaru oraz kosztów. Podobnej technologii korzysta już Samsung w swoich pamięciach V-NAND.

Powinno się udać przygotować nawet dyski 3,5 TB w formie M.2 MCIe oraz 10 TB w formie 2,5 cala. To pozwoli na produkcję tak samo pojemnych dysków SSD, jak HDD. Przypomnijmy, że Toshiba również zapowiedziała swoje 2 bitowe pamięci NAND flash - BiCS, które wykonano w 15 nm procesie produkcji. Tutaj mamy 48 warstw, które pozwoliło na 16 GB pojemności.

Testowe układy NAND 3D w wersji MLC 256 Gb są wysyłane już teraz do wybranych partnerów, natomiast wersja TLC 384 Gb będzie rozsyłana do testów późną wiosną. Linia produkcyjna jest już uruchomiona, a obydwa urządzenia będą produkowane z pełną wydajnością przed czwartym kwartałem tego roku. Obie firmy opracowują także linie produktów SSD opartych na technologii NAND 3D i należy oczekiwać, że owe urządzenia pojawią się w ciągu najbliższego roku.