SK Hynix zaprezentował specyfikacje swojej nowej generacji pamięci HBM3, która zapewni wyższe prędkości transferu, zwiększoną pojemność i nowe ulepszenia termiczne.

Na stronie produktu, SK Hynix zamieścił tabelę porównawczą porównującą pamięć HBM2E obecnej generacji z pamięcią HBM3 nowej generacji. Według producenta pamięci DRAM, oczekuje się, że pamięć HBM3 osiągnie prędkość we/wy 5,2 Gb/s, co stanowi 44 procentową poprawę w stosunku do istniejącej pamięci HBM2E. Prowadziłoby to również do zwiększenia przepustowości pamięci.

Hbm3

Według SK Hynix pamięć HBM3 osiągnie do 665 GB/s przepustowości, podczas gdy pamięć HBM2E osiąga szczytową prędkość 460 Gb/s. Jest to 44 procentowa poprawa w stosunku do istniejącej pamięci DRAM. Oprócz tego SK Hynix udoskonali również swoje innowacje wprowadzone w HBM2E, takie jak ulepszona technologia rozpraszania ciepła. Technologia która zapewnia do 36% lepsze rozpraszanie ciepła w pamięci HBM2E, a w przypadku HBM3 zaoferować ma ona jeszcze lepsze wyniki. Pod względem pojemności, spodziewamy się, że pierwsza generacja pamięci HBM3 będzie bardzo podobna do HBM2E, która składa się z 16-gigabajtowych matryc DRAM.

Nowy typ pamięci znajdzie w najbliższych latach zastosowanie w produktach AMD Instinct Accelerator, NVIDIA Hopper oraz przyszłych akceleratorach HPC Intela opartych na ich architekturze Xe-HPC nowej generacji.